一种基于热迁移分析的芯片老化测试方法及系统

本发明公开了一种基于热迁移分析的芯片老化测试方法，所述方法包括获取功耗分布数据、材料属性数据和制造工艺数据；采用有限元网络节点离散映射功耗分布数据并动态调整，得到初始热分布图；基于热成像技术对初始热分布图进行处理，生成芯片表面的温度映射图；基于温度映射图，进行网络划分，并结合梯度追踪算法生成热传递路径图；基于热传递路径图，通过预设温度阈值筛选潜在区域，并经聚类分析生成潜在热分布图；根据潜在热分布图对异常区域进行微结构分析，生成异常分析报告；根据制造工艺数据和异常分析报告求解高温区域分布，并进行区域分析，生成热识别报告。本方法能解决无法在非破坏性测试下精准捕捉热量传递路径并识别热点区域的问题。