一种碳化硅芯片的切割方法

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一种碳化硅芯片的切割方法
申请号:CN202510754539
申请日期:2025-06-06
公开号:CN120565502A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种碳化硅芯片的切割方法,碳化硅芯片具有多个芯片形成区域和分隔多个芯片形成区域的划片道区,且划片道区中设有胶材料层,切割方法包括:采用激光工艺对胶材料层进行预切割,形成至少贯穿胶材料层厚度的切槽;基于切槽,通过划线轮和预设应力对碳化硅芯片进行划线裂片工艺,以使多个芯片形成区域分隔。本发明的切割方法其可对胶材料层进行预处理,避免胶材料层影响切割使切割偏移,提高了切割精准度。
技术关键词
碳化硅芯片 切割方法 裂片工艺 激光烧蚀 扩膜工艺 应力 切槽深度 劈刀 层厚度 衬底 正面
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