倒装LED芯片及其制备方法

本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。倒装LED芯片包括：衬底；发光结构，其包括依次层叠于所述衬底上的N型半导体层、有源发光层、P型半导体层和P型电极；所述发光结构设有暴露所述N型半导体层的导电台阶，所述导电台阶上设有N型电极；保护结构，其环绕所述发光结构设置，所述保护结构与所述发光结构之间形成暴露所述衬底的第一凹槽；反射绝缘层，其覆盖所述发光结构、所述保护结构以及所述第一凹槽；N型焊盘，其设于所述N型电极的上方，并与所述N型电极电连接；以及P型焊盘，其设于所述P型电极的上方，并通过与所述P型电极连接。实施本发明，可提升倒装LED芯片的可靠性。