一种近红外增强型CCD工艺制作方法

本发明属于固体图像传感器领域，涉及一种近红外增强型CCD工艺制作方法，方法包括：采用玻璃载片与正照CCD晶圆正面临时键合，支撑后续工艺；背面机械减薄及酸液腐蚀，去除损伤层；CMP工艺去除过渡区，降低暗电流；PECVD淀积硬掩膜并光刻周期排列孔结构；刻蚀暴露外延层，制备陷光结构；ALD生长钝化层，减少界面态密度；PVD淀积金属铝反射镜；PECVD淀积平坦层；永久键合后解键合，暴露正面电极。本发明提高了CCD在800nm～1000nm波段的量子效率，适用于低照度及全天候成像系统。