用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法

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用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法
申请号:CN202510783462
申请日期:2025-06-12
公开号:CN120882146A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明属于红外探测器制造技术领域,公布了用于红外探测器芯片的精确金属层剥离方法,包括以下步骤:S1,光刻胶涂覆与预处理;S2,光刻与显影;S3,金属沉积;S4,金属层打磨;S5,光刻胶表面金属层的去除;S6,丙酮清洗;S7,酒精清洗;S8,纯水冲洗;S9,干燥。本发明的有益效果如下:1、相较于高压试剂清洗以及超声震动剥离的方法而言,本申请可以提高金属层高度的均匀性。2、可以避免部分区域因过度清洗或者震动而导致的金属层脱落。3、通过砂轮抛光的方式去除多余的金属层,可以使金属层厚度可控且高度一致。4、本发明的金属层剥离方法步骤明确、操作简便,易于实现自动化生产,提高了生产效率,且可以保证晶片质量,提高了成品率。
技术关键词
金属层剥离方法 红外探测器芯片 金属沉积 光刻胶涂覆 光刻胶表面 增粘剂 纯水 参数 更换砂轮 丙酮 酒精 光刻胶层 密闭容器 图案 光刻机
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