一种基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法

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一种基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法
申请号:CN202510784239
申请日期:2025-06-12
公开号:CN120727689A
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法,包括金属引线框本体,金属引线框本体上设置有金属基岛和金属内引脚,所述金属基岛为上浮基岛或下沉基岛,所述金属基岛与金属内引脚之间连接有内填塑封料;局部填封结构采用喷涂工艺制备。本发明的基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法,能够解决大芯片小基岛的电性短路或污染等问题。
技术关键词
金属引线框 喷涂工艺方法 下沉基岛 正面 芯片封装结构 结构墙 包封 程序 喷涂结构 包装 涂布 短路
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