半导体器件及其制备方法

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件在栅极和势垒层之间掺入较多的Mg可能会影响半导体器件的性能问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层和势垒层、第一功能层、第一极、第二极和栅极；衬底、沟道层和势垒层依次层叠设置；第一功能层设于势垒层远离沟道层的一侧；栅极位于第一极和第二极之间的，且栅极位于第一功能层远离衬底的一侧；第一极和第二极位于沟道层远离衬底的一侧；其中，第一功能层的材料包括：AlGaN；第一功能层包括：第一子部，沿第一方向，在第一子部远离衬底的部分中Al原子的含量，小于靠近衬底的部分中Al原子的含量，第一方向为垂直衬底的方向。