半导体器件及其形成方法

本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一半导体结构、第一键合层、第二半导体结构；其中，第一半导体结构包括晶体管结构；第二半导体结构包括忆阻结构；第一键合层包括沿第二方向排布的第一键合结构以及第二键合结构；忆阻结构通过第一键合结构和第二键合结构与晶体管结构连接；第二方向与第一方向垂直。