一种去除硅片内金属杂质的外吸杂方法、系统及设备

本申请实施例涉及硅片处理技术领域，公开了一种去除硅片内金属杂质的外吸杂方法及系统。包括：获取二氧化硅原料，采用高纯电磁制备方法制备得到高纯二氧化硅砂料；采用所述高纯度二氧化硅砂料对硅片进行喷砂处理，在硅片表面形成从中心到边缘梯度递增的损伤层；对所述梯度损伤层进行热力电多场耦合处理，逐步降低硅片体内的金属杂质浓度，完成去杂处理。可以至少用以解决现有技术无法进行高效的硅片去杂的技术问题。