散热盖、芯片封装结构及其形成方法

AITNT
正文
推荐专利
散热盖、芯片封装结构及其形成方法
申请号:CN202510814886
申请日期:2025-06-18
公开号:CN120749098A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种散热盖、芯片封装结构及其形成方法。所述散热盖包括:支撑壳体,包括本体部以及凸出设置在所述本体部的下表面上的凸台,所述本体部包括相对分布的上表面和所述下表面,所述凸台包括朝向所述本体部的顶面和与所述顶面相对的底面,且所述本体部的所述上表面的面积大于所述凸台的所述底面的面积,所述凸台的底面用于覆盖于芯片上;支撑柱,连接于所述本体部的端部且沿垂直于所述本体部的所述上表面的方向延伸,所述支撑柱用于与引线框架连接。本发明能够提高芯片封装结构的散热效果,并能够有效减少外部环境影响以及抑制自身翘曲。
技术关键词
芯片封装结构 引线框架 散热盖 外置散热器 真空 电路板 壳体 正面 冷却液 凸台 金属材料 金属触点 锥形 毛细 矩形 实心 容积 凹槽
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种自调节离合器动平衡工艺方法
动平衡工艺方法 自调节离合器 离合器总成 材料热膨胀系数 粉末冶金成型技术
2
一种高密度QFN封装引线框架及其制造方法
封装引线框架 涂胶箱 高密度 蚀刻 滑动楔块
3
一种纤维素碳气凝胶负载铜纳米催化剂催化氧化木质素解聚为航油中间体
木质素模型化合物 纤维素碳气凝胶 纤维素气凝胶 铜纳米催化剂 纤维素悬浮液
4
一种芯片封装方法及封装结构
被动元件 基板 芯片封装方法 贴装工艺 倒装芯片
5
一种半导体器件及其制造方法
半导体结构 半导体器件 基底 导热 芯片
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号