轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法

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轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法
申请号:CN202510842001
申请日期:2025-06-23
公开号:CN120727579A
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种轴向低压降高电压快恢OJ二极管制造方法,步骤为:材料准备,材料表面处理,封装处理,焊接,酸洗,上胶,固化,模压,老化,回流焊和二次老化。本发明使用经过研磨的晶圆和玻璃钝化切割后芯片,低温焊接,焊接气孔更小,正向压降和电压一致性更好了克服隧道炉焊接气孔过大的问题,通过本发明生产的3000V以上高压二极管产品,最小可以降低0.3V,最大可以降低0.7*nV(n是整流管芯片数)正向压降。在相同芯片尺寸下,本发明生产的产品开关时间可以更快,正向压降可以更小,本发明生产芯片的成本大大下降,扩金减少30%以上~50%。
技术关键词
低压 焊片 电压 金属化 硅片 整流管芯片 石墨舟 隧道炉 高压二极管 引线 真空焊接 缓冲 焊接炉 方形 面贴膜 保护胶 低残留
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