一种直接键合MEMS全SiC梳齿电容式加速度传感器及制备方法

本发明属于加速度传感器技术领域，公开了一种直接键合MEMS全SiC梳齿电容式加速度传感器及制备方法。本发明利用MEMS体SiC加工工艺，在SiC衬底晶圆表面开设凹槽，通过SiC直接键合技术，将其与减薄后的芯片晶圆实现高强度的键合，以构建凹腔，再通过MEMS工艺，实现芯片晶圆质量块、梳齿、支撑梁等悬浮结构的加工，再通过键合技术对传感器进行顶部封装，形成高性能的电容梳齿式传感器完整结构。