QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构

本发明公开了一种QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构，采用蚀刻和冲压相结合的工艺制作QFN引线框架，通过冲压方式对内引脚和基岛进行冲压，使其低于外引脚，呈台阶状，为新型的QFN封装结构提供了一种支撑框架；不仅提高了生产效率，还降低了生产成本，为大规模生产提供了可能性。QFN封装结构采用上下双层引脚结构的引线框架，打破了传统封装焊接点位仅在同一平面的限制，有效增加了芯片内部布线空间与焊点分布空间，提高了封装结构的集成度。本发明中引线框架的结构设计，增加了芯片的散热面积，尤其是通过设置上下两层引脚结构，形成了多层次的散热网络，大幅提高了散热效率，有效满足了大尺寸芯片封装结构的散热需求。