一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法

本发明公开了一种倒装银镜发光二极管芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域倒装银镜发光二极管芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、布拉格反射层、金属反射层、第一绝缘层、P型金属导电层和N型金属导电层；外延层包括N型半导体层、有源发光层和P型半导体层；布拉格反射层设有布拉格反射层P型通孔，第一绝缘层设有第一绝缘层P型通孔，第一绝缘层P型通孔的孔壁和水平面之间的夹角β小于布拉格反射层P型通孔的孔壁与水平面之间的夹角α；第一绝缘层P型通孔的投影边缘与布拉格反射层P型通孔的投影边缘之间的距离L为5μm～12μm。本发明通过对倒装银镜发光二极管芯片的结构进行改进，能够提升倒装银镜发光二极管芯片抗击大电流的能力。