一种基于TSV的电容式超声换能器的制备方法

本发明涉及一种基于TSV的电容式超声换能器的制备方法，在SOI晶圆A上经过一系列体硅工艺制作隔离槽（101）及其TSV导电柱（102），在SOI晶圆A底面制作金属电极（103、104、105），振膜结构层SOI晶圆B与SOI晶圆A进行高温硅硅键合，晶圆A上完成第一接触电极（201）、第二接触电极（202）、第三接触电极（203）的制备。本发明的有益效果是，TSV导电柱形成垂直导电通道，实现不同芯片层之间的电学连接，引出的金属电极与可动敏感振膜不在同一面，可将金属电极通过植球、倒装焊的方式从背面引出，大大减小器件整体尺寸并提高信号传输速度和降低串扰，提升CMUT的整体性能。