一种提高GaN HEMT瞬态仿真精度的行为模型建模方法

本发明公开一种提高GaN HEMT瞬态仿真精度的行为模型建模方法，包括：步骤一、基于低漏‑源电压(VDS)下的I‑V数据，采用经验公式对器件的I‑V特性建模；步骤二、基于C‑V数据，采用人工神经网络行为建模方法对器件的C‑V特性进行建模；步骤三、仿真验证：将基于经验公式和人工神经网络(ANN)建立的GaN HEMT SPICE模型在LTspice软件中进行瞬态仿真。本发明结合了经验公式与人工神经网络建模方法的优势，提出了一种新型行为模型建模方法，以解决GaN HEMT瞬态仿真中I‑V与C‑V特性的精度问题，为高频高功率应用提供高精度仿真方法。