半导体结构及半导体结构的制造方法

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半导体结构及半导体结构的制造方法
申请号:CN202510904988
申请日期:2025-07-01
公开号:CN120895557A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构中,第一基板包括第一绝缘基底、位于第一绝缘基底一侧的第一金属层及多个第一导电柱,第一绝缘基底设有多个第一通孔,各第一导电柱位于一个第一通孔内;第一金属层的各金属块覆盖多个第一导电柱;各芯片位于一个金属块远离第一绝缘基底的一侧,与对应的金属块焊接;各导电凸柱位于一个金属块远离第一绝缘基底的一侧;第一塑封层至少包封各芯片的侧面、各导电凸柱的侧面及第一金属层;第一再布线层位于第一塑封层远离第一基板的一侧;各第一电极及各导电凸柱分别与第一再布线层电连接;第二再布线层位于第一绝缘基底远离第一金属层的一侧,各第一导电柱与第二再布线层电连接。
技术关键词
半导体结构 导电柱 基底 绝缘 布线 基板 芯片 包封 电极 电气元件 通孔 玻璃纤维 电镀工艺 光刻工艺 间距
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