摘要
本发明适用于高功率电子器件散热技术领域,提供了一种铜‑金刚石‑铜三明治结构水冷散热器及其制备方法,所述水冷散热器主体结构为三明治结构,上层为铜、中间为MPCVD金刚石多晶或单晶材料,下层为铜,进一步下层铜可以是具有特殊水冷通道结构的,满足液冷散热的目的。中间金刚石层起到将芯片热量迅速导出,再有水冷通道带走散热。表层铜为了芯片封装时方便加工。该三明治结构是通过AMB活性钎焊技术实现的,中间层浆料为纳米银活性焊料,既实现了低温钎焊,又满足焊后高温热循环可靠性,该技术发明具有很强的应用价值,为下一代水冷散热提供强有力的支撑。
技术关键词
三明治结构
水冷散热器
金刚石
电子器件散热技术
凹坑阵列
水冷通道结构
钎焊工艺
纳米银
松香衍生物
钎焊技术
焊膏
真空钎焊
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有机载体
中间层
芯片封装
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