一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片

本申请涉及半导体制造技术领域，并提供一种碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法、芯片。制备方法包括提供一层衬底；在衬底上依次制备底栅电极和栅介电层；在栅介电层上制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极，以及栅介电层的表面制备氨基化分子层；去除目标区域以外的氨基化分子层；在目标区域制备碳纳米管薄膜；进行退火处理。该制备方法对目标区域以外的氨基化分子层进行曝光处理，以破坏非目标区域的氨基化分子层，只保留目标区域的氨基化分子层，为沟道区域碳纳米管成膜提供吸附位点，该制备过程碳纳米管薄膜未与光刻胶接触，避免传统碳纳米管图案化刻蚀过程中光刻胶保护带来的残留和污染，且有效保证碳纳米管薄膜场效应晶体管的使用性能。