一种声表面波器件结构及其应用

本发明涉及信息电子材料技术、信息通讯、无线射频通讯等领域，具体涉及一种声表面波器件结构及其应用，所述结构自下到上依次包括压电衬底、金属指条、温度补偿层，在温度补偿层上设置有附加层，附加层位于金属指条正上方且附加层在金属指条延伸方向与金属指条平行，温度补偿层的相对膜厚大于0.25且小于0.75，附加层厚度与谐振器激发的声波波长λ之比大于0.625%且小于12.5%。本发明可以在SAW谐振器原有谐振电学响应的基础上，在更高频的范围内，激发出显著的额外谐振电学响应，利用第一和第二谐振响应，可在同一滤波器中构建出两个信号通带，可减少一个滤波器，从而实现滤波器芯片的小型化。