一种基于方向正则化的磁梯度张量阵列双阶段校准方法

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一种基于方向正则化的磁梯度张量阵列双阶段校准方法
申请号:CN202511030220
申请日期:2025-07-25
公开号:CN120742192A
公开日期:2025-10-03
类型:发明专利
摘要
本发明涉及磁场测量与传感器误差补偿领域,提出了一种基于方向正则化的磁梯度张量阵列双阶段校准方法,包括:采集多姿态下的磁矢量观测数据;构建显式区分传感器内部误差与阵列姿态误差的十二参数误差模型;基于该模型建立兼顾模值一致性与方向一致性的优化目标函数;采用基于差分进化算法的两阶段优化策略,第一阶段估计全部参数实现粗校准,第二阶段在固定传感器内部误差参数基础上优化估计的阵列姿态误差参数;最终根据估计的校准参数修正磁矢量观测值,并通过对称差分方法计算磁梯度张量。本发明在无需外部磁场参考条件下,通过修正磁矢量观测值提升其测量精度,最终保障了磁梯度张量计算的准确性,具备良好的工程适应性与推广前景。
技术关键词
校准传感器 磁梯度张量 误差模型 姿态误差 偏置误差 进化算法 比例因子误差 阵列校准方法 矩阵 误差参数 阶段 传感器误差 变异策略
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