一种高电流密度IGBT器件

一种高电流密度IGBT器件，其包括P型集电区，N型漂移区，P型基区，N型发射区，栅极沟槽，发射极沟槽，绝缘介质层，以及发射极金属。在平行于器件表面的方向上，所述栅极沟槽呈连续的弓字形弯折结构并沿水平方向延伸，所述发射极沟槽位于相邻的两个栅极沟槽之间且位于所述栅极沟槽的弯折处。使得所述栅极沟槽和所述发射极沟槽在平行于器件表面的方向上纵向和横向上均形成交替排列，使电子不再局限于单一沟槽的狭长区域，而是通过交替分布的沟槽更均匀注入N型漂移区，避免局部电流积累。同时，交替排列扩展了器件表面覆盖范围，增强电子注入均匀性，分散电流路径使热量在平面内均匀扩散，有效降低短路大电流下因热集中导致的芯片失效风险。