一种半导体芯片的制造方法

本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，涉及芯片制造领域，包括，选择晶圆进行沉积，在晶圆沉积的过程中采集沉积数据，并输入预构建的薄膜沉积优化模型，得到双层结构的晶圆，对双层结构的晶圆进行涂覆后定义引导模板，随后进行表面化学修饰并将PS圆柱嵌入双层结构的晶圆，得到具有PS圆柱图案的晶圆，通过反应离子刻蚀在具有PS圆柱图案的晶圆上形成硬掩模，同时以硬掩模为基础进行原子级精度刻蚀，在进行原子级精度刻蚀的过程中利用光学发射光谱和LSTM进行监控和动态调整，形成具有FinFET鳍片的晶圆。本发明通过薄膜沉积优化模型实时分析沉积数据并输出调整指令，为后续提供均匀的硬掩模和刻蚀停止层。