一种扇入型晶圆级芯片堆叠封装方法及封装结构

本公开实施例提供一种扇入型晶圆级芯片堆叠封装方法及封装结构，该封装方法包括：形成多个芯片；提供硅晶圆，在硅晶圆的功能面形成多个导电柱；将多个芯片平铺电连接于硅晶圆的功能面；沿硅晶圆的切割道对硅晶圆进行切割，以在硅晶圆上形成切割槽，其中，切割槽的深度小于硅晶圆的厚度；形成包裹硅晶圆、多个芯片和多个导电柱的塑封体，且塑封体填充于切割槽；沿着对应切割槽处的塑封体进行切割，得到多个封装结构。本方法中将硅晶圆作为载盘，直接在硅晶圆上进行多个芯片的贴装，无需使用高昂的玻璃载板/载盘或者复杂的晶圆重组技术，极大降低生产成本，简化工艺流程；再通过半切工艺获得六面保护封装结构，有效提升良率。