化学机械抛光磨粒轨迹优化方法

本发明公开了一种化学机械抛光磨粒轨迹优化方法，涉及化学机械抛光技术领域，解决现有技术中规律磨粒轨迹导致光学元件性能降低的问题。该方法通过构建磨粒轨迹模型，采用元件/主轴转速比为1:2的大比例转速比进行模拟研究，分别模拟不同主轴摆动速度大小下的磨粒轨迹，以轨迹规律系数(通过计算轨迹切线平行度比例表征)为指标，选取规律系数最小的工艺参数。实验表明，当摆动速度为3mm/s时，磨粒轨迹规律程度最低且分布均匀，可减少元件在强激光条件下的局部热积累损毁风险。本方法实现了磨粒轨迹的精准优化，提升了中大口径光学元件的加工质量。