优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器

本申请提供了一种优化的Ⅱ类超晶格红外探测器芯片底部填充方法、制备方法及红外探测器，属于红外探测器领域；解决了现有底部填充工艺填充的填充胶容易产生空洞，最终导致红外焦平面探测器芯片成像时出现缺陷，影响红外探测器性能的问题；该方法包括以下步骤：在完成台面刻蚀后的外延材料表面沉积一层介质层，且介质层高度高于台面刻蚀深度；在介质层沉积后，将介质层表面抛光平整；在台面表面上的介质层进行开孔；在介质层的开孔内制备铟柱，之后将外延材料端的铟柱与读出电路上的铟柱进行倒焊互连；倒焊互连后，在介质层与读出电路之间进行底部填充胶填充，之后对填充胶进行高温固化；本申请应用于Ⅱ类超晶格红外探测器。