一种高密度封装体层间导通互联方法及结构

本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种高密度封装体层间导通互联方法及结构，包括：步骤S100：在载板的一面或两面制作线路层，所述线路层上包括金属框体、若干个第一连接筋和若干个封装区，所述封装区设置于所述金属框体内，所述封装区内设有由多个芯片焊盘组成的封装图形阵列，所述封装区内的芯片焊盘外侧导电电材料被去除，所述第一连接筋至少一端与所述金属框体导通，所述第一连接筋与至少一个所述芯片焊盘连接；步骤S200：在所述金属框体上通电，采用电镀工艺镀锡，通过所述第一连接筋电路导通所述封装图形阵列内所有的所述芯片焊盘，使所述芯片焊盘上覆盖锡层。本发明在不改变产品结构及外焊盘图形的前提下实现封装结构内部线路层间导通。