一种高密度封装体层间导通互联方法及结构

本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种高密度封装体层间导通互联方法及结构，包括：步骤S100：在载板两面依次层叠贴合支撑层和功能层；步骤S200：电镀增厚所述功能层，并在所述功能层上制作用于贴设封装芯片的第一线路；步骤S300：在所述功能层上贴设若干个封装芯片，所述封装芯片与所述第一线路电连接；步骤S400：在所述功能层上形成覆盖所述封装芯片的塑封层；步骤S500：在所述塑封层内形成与所述封装芯片电连接的焊盘连通结构，所述焊盘连通结构覆盖所述塑封层表面；步骤S600：将所述功能层从所述支撑层上剥离，使所述功能层和所述塑封层形成单个封装体。本发明实现整板多个封装芯片之间的导通互联。