基于围坝点胶与真空覆膜的超声波指纹芯片封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及基于围坝点胶与真空覆膜的超声波指纹芯片封装方法，包括如下步骤：S1：制备RDL1；S2：铺设PI层和PVDF层；S3：制备RDL2；S4：涂覆环氧树脂围坝，将dummy硅片贴装在围坝上，倒装ASIC芯片；S5：真空覆膜；S6：塑封，激光打孔，形成金属垂直互连；S7：研磨；S8：移除玻璃基板；本发明通过采用高精度点胶技术替代丝网印刷，围坝宽度可精确控制在50～100μm范围内，特别设计的非闭环围坝结构配合真空覆膜工艺，围坝高度精度控制在±1μm以内，超声波信号接收均匀性得到明显的提升，此外，本方案采用的脉冲反向电镀工艺在围坝保护下形成的垂直互连结构，这些技术创新使得封装器件的平均寿命延长至10万次以上指纹识别操作。