一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用

本发明公开了一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用，复合薄膜包括：PUF熵源层，包括掺杂介电层以及设在所述掺杂介电层上、下表面的电容阵列层，用于生成芯片的唯一密钥，并检测薄膜形态变化及侵入式攻击；绝缘层，包裹在所述PUF熵源层上，用于隔离所述电容阵列层并维持电容检测稳定性；金属屏蔽层，包裹在所述绝缘层上，用于屏蔽电磁信号，阻挡电磁探测。本发明应用于信息安全、芯片加密领域，采用多层复合结构，可在芯片表面形成复杂的高介电材料+屏蔽层+物理随机纹理层结构，实现芯片的电磁信号屏蔽、光学探测屏蔽和物理防护，使得攻击者难以通过物理解析或探测等手段获取信息，能够显著提升芯片的抗物理攻击能力。