耐高温激光芯片的封装材料

本发明涉及芯片封装材料技术领域，具体地说，涉及耐高温激光芯片的封装材料，其包括以下原料：氮化铝陶瓷粉体、铜钨合金粉体、改性六方氮化硼粘结剂。本发明中，改性六方氮化硼作为界面相，其表面的硅烷与磷酸酯基团增强了与氮化铝陶瓷及铜钨合金粉体的相容性和结合力，其层状结构在烧结过程中能有效润滑、松弛内应力，从而提升封装体的抗热震性与结构致密度，阻止裂纹扩展；此外，采用溶胶‑凝胶法制备的锌尖晶石/氮化铝梯度功能薄层，有效缓释热应力并提高界面结合强度，抑制了高温下元素的有害互扩散，从而在保证较高导热性能的同时，综合提升了材料的耐高温稳定性和长期服役可靠性。