一种MiP芯片及其制备方法

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一种MiP芯片及其制备方法
申请号:CN202410774938
申请日期:2024-06-17
公开号:CN118367084B
公开日期:2024-10-18
类型:发明专利
摘要
本发明涉及LED芯片技术领域,具体为一种MiP芯片及其制备方法,该MiP芯片中,通过通孔将承接层划分为多块,从而避免了后续工艺中承接层整面受力而产生碎裂或破损的问题出现;另外,重布线层覆盖于LED芯片的非出光面整面,其底端局部区域贯穿通孔,与承接层连接或嵌装于通孔内,有效防止了LED芯片脱落。
技术关键词
重布线层 绿光LED芯片 红光LED芯片 蓝光LED芯片 焊盘 对比度 绝缘材料 衬底 负极 LED芯片技术 巨量转移技术 透光孔 通孔 正电极 阴极结构 阳极结构
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