一种提高CIS芯片可靠性的晶圆级封装方法及封装结构

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一种提高CIS芯片可靠性的晶圆级封装方法及封装结构
申请号:CN202410879766
申请日期:2024-07-02
公开号:CN118645515A
公开日期:2024-09-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种提高CIS芯片可靠性的晶圆级封装方法及封装结构,封装方法包括:将晶圆键合于玻璃基板上,制作硅通孔,在晶圆表面制备钝化层;在钝化层表面制备重布线层,重布线层表面设置有图案形状,重布线层连接晶圆焊盘;设置过程胶,露出重布线层中预设铜柱位置;在预设铜柱位置处电镀铜柱,去掉过程胶;在重布线层和铜柱表面化镀镍金层;在镍金层表面设置阻焊层,露出位于铜柱正上方的镍金层;将位于铜柱上方的镍金层进行下沉打孔,形成浅孔;于镍金层浅孔位置处进行锡银回流,形成锡球,最后分离成单颗芯片。通过本发明的封装方法,可以有效降低钝化层、阻焊层断裂风险,有效降低锡球脱落风险,极大地提高、保证封装可靠性。
技术关键词
CIS芯片 重布线层 封装方法 玻璃基板 晶圆焊盘 横截面尺寸 封装结构 电镀铜柱 图案 围堰 锡球 激光打孔技术 断裂风险 成形 掩膜
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