摘要
本发明公开了一种提高CIS芯片可靠性的晶圆级封装方法及封装结构,封装方法包括:将晶圆键合于玻璃基板上,制作硅通孔,在晶圆表面制备钝化层;在钝化层表面制备重布线层,重布线层表面设置有图案形状,重布线层连接晶圆焊盘;设置过程胶,露出重布线层中预设铜柱位置;在预设铜柱位置处电镀铜柱,去掉过程胶;在重布线层和铜柱表面化镀镍金层;在镍金层表面设置阻焊层,露出位于铜柱正上方的镍金层;将位于铜柱上方的镍金层进行下沉打孔,形成浅孔;于镍金层浅孔位置处进行锡银回流,形成锡球,最后分离成单颗芯片。通过本发明的封装方法,可以有效降低钝化层、阻焊层断裂风险,有效降低锡球脱落风险,极大地提高、保证封装可靠性。
技术关键词
CIS芯片
重布线层
封装方法
玻璃基板
晶圆焊盘
横截面尺寸
封装结构
电镀铜柱
图案
围堰
锡球
激光打孔技术
断裂风险
成形
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