一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片

AITNT
正文
推荐专利
一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片
申请号:CN202410910282
申请日期:2024-07-09
公开号:CN118458689B
公开日期:2024-09-24
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种用于拉曼成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片,涉及生物分子检测技术领域,包括:提供晶圆基底;在晶圆基底的一侧形成原始功能层;在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向间隔排布的多个第一掩膜图案;基于第一掩膜图案,形成多个第二掩膜图案;去除第一掩膜图案,以第二掩膜图案为掩膜对原始功能层进行第一刻蚀处理,形成沿行方向间隔排布的多个原始功能结构;对原始功能结构进行第二刻蚀处理,形成纳米柱阵列衬底。本申请两次刻蚀处理形成目标功能结构,可以提升光刻形成的目标功能结构的精度,从而通过低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备,提升纳米柱阵列衬底的制备效率,降低制备成本。
技术关键词
掩膜图案 纳米柱阵列 晶圆 光刻胶图案 衬底 基底 生物分子检测技术 成像 检测芯片 光刻胶层 光刻技术 氧化钛 氧化硅 精度 终点 合金
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种晶圆清洗装置
晶圆清洗装置 清洗室 转台组件 驱动件 清洗机构
2
一种晶圆级封装装置
晶圆级封装装置 固定式机器人 压紧机构 载板 模制
3
一种发光二极管芯片及其制备方法
发光二极管芯片 衬底上生长外延层 发光体 导电层 刻蚀工艺
4
一种晶圆预对准方法和系统
晶圆预对准方法 坐标 数据 晶圆翘曲变形 聚类算法
5
中红外半导体激光芯片及其制备方法
半导体激光芯片 欧姆接触层 金属有机化学气相沉积技术 量子阱结构 谐振
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号