一种基于喷涂光阻来提供离子束分割芯片时保护层的方法

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种基于喷涂光阻来提供离子束分割芯片时保护层的方法，包括以下步骤：在晶圆正面贴敷一层UV膜，并对晶圆背面减薄处理；去除晶圆正面的UV膜；正面喷涂正性光阻并全方位包裹晶圆上的铜凸点或锡球；利用图像处理技术分析正性光阻喷涂的均匀性和覆盖度，并实时调整喷涂厚度和速度；曝光划片道的正性光阻，去除划片道已曝光的正性光阻区域；去除正性光阻内的水汽和溶剂；在晶圆背面贴敷PESi膜，并在等离子切割机上进行等离子刻蚀；利用去胶机剥离晶圆正面的正性光阻。本发明不仅可以避免传统滴胶方式可能出现的覆盖不良现象，而且还可以有效保护芯片免受等离子刻蚀的损坏。