一种半导体器件及其制备方法

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：在晶圆上形成图案化的金属焊盘；在所述金属焊盘的顶部及周向侧面形成具有疏水性的有机膜层；通过键合工艺连接所述金属焊盘与预设元件。根据本申请的半导体器件及其制备方法，可以有效避免金属焊盘表面产生结晶缺陷。