减小板级扇出型封装芯片偏移量的凹槽型封装结构及方法

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减小板级扇出型封装芯片偏移量的凹槽型封装结构及方法
申请号:CN202410968457
申请日期:2024-07-18
公开号:CN118969636A
公开日期:2024-11-15
类型:发明专利
摘要
一种利用混合键合技术制备晶圆级系统级封装的结构及方法。该封装结构及方法可以实现CIS芯片与其他种类芯片晶圆级封装。(1)利用Hybrid Bonding键合技术进行键合,该技术能够实现更高密度触点连接(在1×1cm的芯片内,能够制作出超过一百万的触点)和更小接点间距连接(间距可以微缩到1微米以下)。(2)将CIS芯片与其他种类芯片集成,实现高性能、低功耗、小型化、异质工艺集成、低成本的系统集成电子产品的制备。(3)整个封装流程为晶圆级封装,封装效率高、成本低、产能大。
技术关键词
导电通孔结构 导电结构 CIS芯片 封装结构 重布线层 混合键合技术 键合结构 粘贴保护膜 系统级封装 晶圆级结构 封装芯片 封装工艺流程 凹槽型 晶圆级封装 绝缘材料 导电层 保护膜层
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