测试结构及其形成方法

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测试结构及其形成方法
申请号:CN202411049261
申请日期:2024-07-31
公开号:CN118969776B
公开日期:2025-12-02
类型:发明专利
摘要
一种测试结构及其形成方法,其中测试结构包括:衬底,所述衬底具有测试区域;位于所述测试区域上的第一测试结构;位于所述测试区域上的第二测试结构;所述第二测试结构位于所述第一测试结构上,沿垂直于衬底顶部表面的方向,所述第二测试结构和所述第一测试结构堆叠设置,且所述第一测试结构和所述第二测试结构之间电学隔离;与所述第一测试结构电连接的若干第一测试键;与所述第二测试结构电连接的若干第二测试键,通过将不同工艺阶段的大尺寸的所述第一测试结构和所述第二测试结构在三维方向上进行层叠设置,能够有效减少所述第一测试结构和所述第二测试结构所占用的芯片面积。
技术关键词
测试结构 测试键 金属互连层 金属条 衬底 栅极 电阻 层叠 芯片 阶段 尺寸
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