一种尺寸微缩下一类新型栅极芯结构

本发明公开了一种尺寸微缩下一类新型栅极芯结构。本发明中，做将栅极做内部调控，处于半导体的包围中，可以是从单面到多面，并且可以做不同形状，不含金属时可做导电沟道反向掺杂。此类内栅结构可单独做栅极使用，也可与外栅结构组合使用。此类内栅结构充分利用了栅极外表面，具有与外栅不同的栅控能力、灵活的栅控能力和更小的占地面积，易于使器件进行微缩；由于在在半导体内部，形状限制明显少于外栅，外栅需要跟随半导体外表面变化，内栅可任意变化，且不影响半导体形状随意变化，这样半导体和栅极同时具有形状可调节性，设计起来将更轻松，内栅下的半导体器件模型设计可更容易跟随所调控电流变化，更有利于提高电流的控制能力。