一种异质键合三维集成封装结构

本发明介绍了一种异质键合三维集成封装结构，该结构由EMC总体层、Glass总体层、RDL布线层、连接组件、半导体芯片及钝化层组成。半导体芯片通过晶圆重构技术嵌入EMC树脂和Glass层湿法刻蚀形成的腔体中，实现了高集成度设计。连接组件和Glass层所采用的TGV结构，通过高精度金属对位键合技术连接EMC与Glass层，确保电气导通与结构稳定。RDL结构则提供电气引出，并具有转接板集成扩展性。由于EMC材质特性及其封装过程中产生的翘曲变形，导致EMC晶圆级封装在后续多层的集成布线制备工艺中面临困难，本结构在拥有高集成度与机械强度的同时通过EMC与Glass材料之间的热膨胀系数适配及键合作用力拉伸，有效降低翘曲，满足后续更高密度的布线需求。