一种LED芯片及其制备方法

本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供一衬底，在衬底上生长外延层，随后在外延层的表面沉积电流阻挡层；(2)在表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后依次沉积光反射材料和第一金属材料，并去胶清洗，形成预设形状的光反射层和预设形状的第一金属电极层；(3)在表面沉积ITO材料，随后通过黄光、刻蚀，形成预设形状的ITO电流扩展层；(4)在表面涂覆光刻胶，通过黄光工艺将光刻胶图形化，随后沉积第二金属材料，并做去胶处理，形成预设形状的第二金属电极层；(5)在表面沉积钝化保护层。通过本发明中的制备方法，可以提高LED芯片的发光亮度并解决LED芯片易脱落、制程良率低等问题。