efuse单元结构及efuse存储阵列结构

本发明提供一种efuse单元结构及efuse存储阵列结构，该efuse单元结构包括：第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第一熔丝、第二熔丝和晶体管；第一熔丝与第三焊盘电连接；第二熔丝与第三焊盘电连接；晶体管的漏极与第三焊盘电连接，晶体管的栅极与字线电连接，晶体管的源极与接地端电连接；其中，第一焊盘与第一位线电连接，第二焊盘与第二位线电连接，第一熔丝、第二熔丝、第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘位于同一层内，且第一熔丝和第二熔丝对称布设于第三焊盘的两侧。本发明中的efuse单元结构可以改善efuse单元结构的面积较大，芯片集成度较低的技术问题。