一种SCR器件、工艺方法及芯片

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一种SCR器件、工艺方法及芯片
申请号:CN202411441966
申请日期:2024-10-15
公开号:CN119604034B
公开日期:2025-11-14
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种SCR器件、工艺方法及芯片,相比于传统的LVTSCR器件,本发明中的SCR器件的触发电压更低、维持电压更高,能够避免深回滞现象,拓展了SCR器件的应用场景,使得SCR器件能够应用于高工作电压端口。本发明中的SCR器件还能够形成多条ESD电流泄放路径,使得芯片的单位面积下ESD电流泄放能力更高,使得SCR器件具有低导通电阻特性,有效节约了芯片的面积,降低了芯片的生产成本;此外,多条ESD电流泄放路径使得ESD电流在SCR器件内的分布更加均匀,有效提高了SCR器件在大电流下的泄放路径鲁棒性。
技术关键词
掺杂区 SCR器件 浅沟槽 栅介质层 衬底 离子掺杂 低导通电阻特性 芯片 电流 阴极 阳极 鲁棒性 电压 场景 端口
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