摘要
本发明涉及微光衍射基片加工技术领域,具体为一种拓扑保护光子线路设计方法及相关设备。方法包括以下步骤:选择具有折射率和机械强度的材料,在微纳尺度下加工材料,用于制作光子晶体;在微光衍射基片上设计具有周期性折射率分布的二维或三维光子晶体结构,几何配置光子晶体结构的光子晶体单元,用于实现拓扑保护;集成拓扑绝缘体至光子晶体结构中,在光信号传输时光子晶体结构具备拓扑保护特性,用于抵抗物理扰动和加工缺陷。本发明的拓扑保护光子线路设计方法,通过在微光衍射基片上引入拓扑保护的方式,提升了光子线路在环境扰动和制造缺陷条件下的抗扰能力。
技术关键词
线路设计方法
拓扑绝缘体
三维光子晶体结构
微光
基片
路径优化算法
制作光子晶体
深紫外光刻
电子束光刻装置
传输路径
电子束光刻技术
周期性
调节工作温度
折射率变化量
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