摘要
本发明提供一种半导体装置和多赫蒂放大电路。半导体装置具备:封装件(30),具备基座和输出引线;第一半导体芯片(40a),具备将第一信号放大的主放大器和将放大后的第一信号输出的第一输出焊盘;第二半导体芯片(40b),具备将第二信号放大的第一峰值放大器和将放大后的第二信号输出的第二输出焊盘;第三半导体芯片(40c),具备将第三信号放大的第二峰值放大器和将放大后的第三信号输出的第三输出焊盘;第一阻抗变换器,其第一端电连接于第一输出焊盘和输出引线,其第二端电连接于第二输出焊盘和第三输出焊盘;第一匹配电路,使第一输出焊盘与第一端的阻抗相互匹配;以及第二匹配电路,使第二输出焊盘与第二端的阻抗相互匹配。
技术关键词
半导体装置
阻抗变换器
匹配电路
峰值放大器
半导体芯片
焊盘
基座
信号源
电容器
引线
接合线
频率
封装件
线路
功率
分配器
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