一种应用于半导体芯片铜互连的电镀铜添加剂及制备方法

本发明涉及电镀沉积铜技术领域，具体为一种应用于半导体芯片铜互连的电镀铜添加剂及制备方法。通过采用含有1‑氟‑四氟烯结构单元的化合物作为铜电镀液的整平剂，与加速剂和抑制剂协同作用，使晶圆盲孔和沟道底部铜的沉积速度大于顶部，实现沉积速率的反转，完成孔内或沟道内自下而上的底部生长，电镀得到的镀层没有出现孔隙孔洞，镀层表面的粗糙度和结构致密性均良好，而且镀层杂质含量较低，表现出良好的晶圆大马士革电镀铜应用效果。