发光二极管及发光装置

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发光二极管及发光装置
申请号:CN202411548721
申请日期:2024-11-01
公开号:CN119546007A
公开日期:2025-02-28
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种发光二极管及发光装置,该发光二极管至少包括:衬底;位于衬底之上的半导体叠层,位于半导体叠层与衬底之间的键合层,键合层为绝缘材料,所述衬底与所述半导体叠层被键合层电性隔离;反射层,位于所述半导体叠层与所述键合层之间,所述反射层的折射率小于所述半导体叠层的折射率。本申请的技术方案通过对LED的背面反射系统进行改进,在半导体叠层与键合层之间插入反射层,该反射层的折射率小于半导体叠层的折射率,使得外延结构发出的光线在与反射层的界面处反射,进而由LED正面出射,从而提高产品亮度,该反射层还能减少衬底对光线的吸收或光线在芯片内部多次反射而产生的热量,有利于提高大功率LED产品的性能与使用寿命。
技术关键词
发光二极管 DBR结构 发光装置 衬底 半导体层 封装基板 大功率LED产品 绝缘材料 反射系统 外延结构 叠层结构 电极结构 层叠 台面 亮度 界面 芯片
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