一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的制作方法，包括如下步骤：提供一外延层，设置阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；形成栅极氧化层；形成栅极多晶硅，所述栅极多晶硅为凹型缺口结构；形成体区和阱区；形成绝缘介质层；形成源极引出孔，所述源极引出孔贯穿绝缘介质层并延伸至源极多晶硅内。本发明将栅极多晶硅设置成凹型缺口结构，降低了器件的GS电容值，并且通过设置源极引出孔，可以让源极多晶硅直接从有源区引出，无需单独另外设置的区域引出，节约了芯片面积。