一种深紫外LED芯片的制备方法及深紫外LED芯片

本发明公开了一种深紫外LED芯片的制备方法及深紫外LED芯片，包括：在衬底上生长AlN缓冲层和第一AlGaN层；在第一AlGaN层上沉积金属薄膜，得到深紫外LED生长模板；对深紫外LED生长模板进行高温快速退火，将金属薄膜转化为若干个金属小球；基于若干个金属小球的图形化掩膜对第一AlGaN层进行图形化刻蚀；通过酸性溶液对若干个金属小球进行清洗，使得AlGaN插入层的顶面裸露；通过二次外延使得AlGaN插入层上形成AlGaN过渡层，形成基底；在AlGaN过渡层上沉积发光元件结构。设置图形化AlGaN插入层，可以缓解由衬底和AlN层带来应力，降低有源区的位错密度，提高深紫外LED芯片的发光效率。