晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件

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晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件
申请号:CN202411812016
申请日期:2024-12-10
公开号:CN119673787B
公开日期:2025-06-24
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种晶圆上芯粒堆叠方法及半导体器件,该方法包括:步骤S1,将晶圆以具有电路图形结构的一面朝下设置在贴合装置中;步骤S2,利用晶片吸取装置从上往下地吸附着晶片的上表面,将所述晶片以具有电路图形结构的一面朝上地放置到所述贴合装置中;步骤S3,以由下到上的方向作为晶片到晶圆键合方向而进行键合,完成晶圆上芯粒的堆叠。利用本发明,避免了加工工程中的中间工艺(例如芯片的切割、拾取、翻转等工艺)引入的颗粒污染,从而大量避免了引发键合的强度降低以及键合电性失效的技术问题。
技术关键词
堆叠方法 晶片吸取装置 贴合装置 半导体器件 吸热材料 芯片 晶圆背面 加热 电路 非晶硅 上沉积 界面 强度
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